Справочник MOSFET. BLM14N08-P

 

BLM14N08-P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM14N08-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BLM14N08-P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM14N08-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1296K  belling
 blm14n08-p blm14n08-d.pdf pdf_icon

BLM14N08-P

Green Product BLM14N08L 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM14N08L uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 60A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

Другие MOSFET... BLM10P03-E , BLM10P03-Q , BLM10P03-R , BLM12N08-B , BLM12N08-D , BLM12N08-P , BLM12P03-R , BLM14N08-D , 20N60 , BLM16N10-D , BLM16N10-P , BLM22N10-D , BLM22N10-P , BLM30DN06L-E , BLM4407 , BLM80P10-D , BLM80P10-P .

History: STW25N95K3 | IXTP4N90A | ZXMP6A17E6TA | AP18T10AGH-HF | SVSP14N60FJDD2 | BSS138BK | HY1708MF-VB

 

 
Back to Top

 


 
.