Справочник MOSFET. BLM14N08-P

 

BLM14N08-P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM14N08-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM14N08-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1296K  belling
 blm14n08-p blm14n08-d.pdf pdf_icon

BLM14N08-P

Green Product BLM14N08L 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM14N08L uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 60A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: OSG55R160FZF | WMO14N60C4 | IXFR180N10 | IXTP3N50D2 | CJK1211 | AOD488 | BSC032NE2LS

 

 
Back to Top

 


 
.