Справочник MOSFET. BLM4407

 

BLM4407 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM4407
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для BLM4407

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM4407 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  belling
 blm4407.pdf pdf_icon

BLM4407

Pb Free Product BLM4407 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION GThe BLM4407 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)Svoltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -12A DS DR

 9.1. Size:668K  belling
 blm4435.pdf pdf_icon

BLM4407

Pb Free Product BLM4435 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION GThe BLM4435 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)Svoltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -10A DS DR

Другие MOSFET... BLM12P03-R , BLM14N08-D , BLM14N08-P , BLM16N10-D , BLM16N10-P , BLM22N10-D , BLM22N10-P , BLM30DN06L-E , IRFP460 , BLM80P10-D , BLM80P10-P , BLM8205B , BLM8205E-G , BLM8205E-J , BLP012N08-T , BLP021N10-T , BLP022N10-BA .

History: DMTH6004SK3 | FQPF6N15 | TK28N65W | 2SK3199 | AO6602G | TSM7N90CI

 

 
Back to Top

 


 
.