BLM4407. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLM4407

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для BLM4407

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM4407 даташит

 ..1. Size:510K  belling
 blm4407.pdf pdf_icon

BLM4407

Pb Free Product BLM4407 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D DESCRIPTION G The BLM4407 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) S voltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -12A DS D R

 9.1. Size:668K  belling
 blm4435.pdf pdf_icon

BLM4407

Pb Free Product BLM4435 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D DESCRIPTION G The BLM4435 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) S voltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -10A DS D R

Другие IGBT... BLM12P03-R, BLM14N08-D, BLM14N08-P, BLM16N10-D, BLM16N10-P, BLM22N10-D, BLM22N10-P, BLM30DN06L-E, IRF640, BLM80P10-D, BLM80P10-P, BLM8205B, BLM8205E-G, BLM8205E-J, BLP012N08-T, BLP021N10-T, BLP022N10-BA