BLM8205B - аналоги и даташиты транзистора

 

BLM8205B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BLM8205B
   Маркировка: 8205B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6

 Аналог (замена) для BLM8205B

 

BLM8205B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  belling
blm8205b.pdfpdf_icon

BLM8205B

 7.1. Size:629K  belling
blm8205a.pdfpdf_icon

BLM8205B

Pb Free Product BLM8205A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 D2 Description The BLM8205A uses advanced trench technology to provide G1 G2 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S1 S2 Schematic diagram General Features VDS = 19.

 7.2. Size:870K  belling
blm8205e-j blm8205e-g.pdfpdf_icon

BLM8205B

BLM8205E Power MOSFET 1. Description Advantages The BLM8205E uses advanced trench technology to provide excellent R ,low gate DS(ON) charge and operation with gate voltages as low as 0.7V.This device is suitable for use as a Battery protection or other switching application. Key Characteristics Parameter Value Unit SOT23-6 Schematic diagram V 19.5 V DS I 6 A D R 18 m

 7.3. Size:332K  belling
blm8205.pdfpdf_icon

BLM8205B

Другие MOSFET... BLM16N10-D , BLM16N10-P , BLM22N10-D , BLM22N10-P , BLM30DN06L-E , BLM4407 , BLM80P10-D , BLM80P10-P , IRFB4110 , BLM8205E-G , BLM8205E-J , BLP012N08-T , BLP021N10-T , BLP022N10-BA , BLP023N10-B , BLP023N10-BA , BLP023N10-P .

 

 
Back to Top

 


 
.