BLP14N08L-D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLP14N08L-D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BLP14N08L-D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLP14N08L-D даташит

 ..1. Size:943K  belling
 blp14n08l-d.pdf pdf_icon

BLP14N08L-D

BLP14N08L MOSFET , 1 Description BLP14N08L, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, and improve switching performance. This is suitable device for LED backlighting and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 80 V DSS I 37 A D R 12.5 m DS(on)

 4.1. Size:1423K  belling
 blp14n08l-q.pdf pdf_icon

BLP14N08L-D

BLP14N08L MOSFET , 1 Description BLP14N08L, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, and improve switching performance. This is suitable device for LED backlighting and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 80 V DSS I 35 A D R 13.8 m DS(on)

Другие IGBT... BLP12N10G-B, BLP12N10G-D, BLP12N10G-E, BLP12N10GL-D, BLP12N10GL-Q, BLP12N10G-P, BLP12N10G-Q, BLP12N10G-U, IRF640, BLP14N08L-Q, BLP20N10L-D, BLP20N10L-Q, BLQM15N06L-D, BLS60R036-F, BLS60R036-W, BLS60R150-A, BLS60R150-F