Справочник MOSFET. BLP14N08L-D

 

BLP14N08L-D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLP14N08L-D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для BLP14N08L-D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLP14N08L-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:943K  belling
 blp14n08l-d.pdf pdf_icon

BLP14N08L-D

BLP14N08L MOSFET , 1Description BLP14N08L, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, and improve switching performance. This is suitable device for LED backlighting and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 80 V DSSI 37 A DR 12.5 m DS(on)

 4.1. Size:1423K  belling
 blp14n08l-q.pdf pdf_icon

BLP14N08L-D

BLP14N08L MOSFET , 1Description BLP14N08L, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, and improve switching performance. This is suitable device for LED backlighting and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 80 V DSSI 35 A DR 13.8 m DS(on)

Другие MOSFET... BLP12N10G-B , BLP12N10G-D , BLP12N10G-E , BLP12N10GL-D , BLP12N10GL-Q , BLP12N10G-P , BLP12N10G-Q , BLP12N10G-U , IRFP460 , BLP14N08L-Q , BLP20N10L-D , BLP20N10L-Q , BLQM15N06L-D , BLS60R036-F , BLS60R036-W , BLS60R150-A , BLS60R150-F .

History: DMTH10H005LCT

 

 
Back to Top

 


 
.