BLS70R180-I - аналоги и даташиты транзистора

 

BLS70R180-I - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BLS70R180-I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 990 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для BLS70R180-I

 

BLS70R180-I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:585K  belling
 bls70r180-p bls70r180-a bls70r180-i bls70r180-b bls70r180-w.pdf pdf_icon

BLS70R180-I

BLS70R180 Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET 1 Description BLS70R180, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced Super Junction technology which reduce the conduction loss, improve switching performance. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTI

 8.1. Size:604K  belling
 bls70r600-p bls70r600-a bls70r600-u bls70r600-d.pdf pdf_icon

BLS70R180-I

BLS70R600 Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET 1 Description BLS70R600, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced Super Junction technology which reduce the conduction loss, improve switching performance. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTI

 8.2. Size:632K  belling
 bls70r420-p bls70r420-a bls70r420-u bls70r420-d bls70r420-b.pdf pdf_icon

BLS70R180-I

BLS70R420 Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET 1 Description BLS70R420, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced Super Junction technology which reduce the conduction loss, improve switching performance. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTI

 8.3. Size:1100K  belling
 bls70r900-d.pdf pdf_icon

BLS70R180-I

BLS70R900 - Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BLS70R900, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced Super Junction technology which reduce the conduction loss, improve switching performance. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BLS65R380-P , BLS65R380-U , BLS65R560-A , BLS65R560-D , BLS65R560-P , BLS65R560-U , BLS70R180-A , BLS70R180-B , BS170 , BLS70R180-P , BLS70R180-W , BLS70R420-A , BLS70R420-B , BLS70R420-D , BLS70R420-P , BLS70R420-U , BLS70R600-A .

History: IRF230

 

 
Back to Top

 


 
.