MPGC15R063 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MPGC15R063
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 326 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 157 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2867 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для MPGC15R063
MPGC15R063 Datasheet (PDF)
mpgc15r063.pdf

MPGC15R063FEATURESBVDSS=150V, ID=157A DRDS(on) @ :6.3m (Max) VGS=10V Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliantGTO-263SAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous RectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package
Другие MOSFET... BLS70R420-U , BLS70R600-A , BLS70R600-D , BLS70R600-P , BLS70R600-U , BLS70R900-D , AMPCW120R30CV , AMPCW120R40CU , 8N60 , MPGC20R170 , MPGJ04R017 , MPGJ10R7 , MPGJ80R040 , MPGP06R030H , MPGP10R033 , MPGW20R170 , MPSA60M082 .
History: DMP3036SFG | NCE40P06J | GSM2324A
History: DMP3036SFG | NCE40P06J | GSM2324A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet