MPGC15R063 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MPGC15R063
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 326 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 157 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2867 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для MPGC15R063
MPGC15R063 Datasheet (PDF)
mpgc15r063.pdf

MPGC15R063FEATURESBVDSS=150V, ID=157A DRDS(on) @ :6.3m (Max) VGS=10V Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliantGTO-263SAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous RectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package
Другие MOSFET... BLS70R420-U , BLS70R600-A , BLS70R600-D , BLS70R600-P , BLS70R600-U , BLS70R900-D , AMPCW120R30CV , AMPCW120R40CU , AON6380 , MPGC20R170 , MPGJ04R017 , MPGJ10R7 , MPGJ80R040 , MPGP06R030H , MPGP10R033 , MPGW20R170 , MPSA60M082 .
History: STL75N3LLZH5 | SIHF7N60E | STB10N60M2 | PE6R8DX | SPI07N60S5
History: STL75N3LLZH5 | SIHF7N60E | STB10N60M2 | PE6R8DX | SPI07N60S5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet