MPGC15R063. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPGC15R063

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 326 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 157 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2867 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для MPGC15R063

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPGC15R063 даташит

 ..1. Size:4314K  cn marching-power
 mpgc15r063.pdf pdf_icon

MPGC15R063

MPGC15R063 FEATURES BV DSS=150V, I D=157A D RDS(on) @ 6.3m (Max) V GS=10V Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant G TO-263 S APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous Rectification Device Marking and Package Information Device Package

Другие IGBT... BLS70R420-U, BLS70R600-A, BLS70R600-D, BLS70R600-P, BLS70R600-U, BLS70R900-D, AMPCW120R30CV, AMPCW120R40CU, IRFZ24N, MPGC20R170, MPGJ04R017, MPGJ10R7, MPGJ80R040, MPGP06R030H, MPGP10R033, MPGW20R170, MPSA60M082