MPGW20R170. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPGW20R170

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 523 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для MPGW20R170

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPGW20R170 даташит

 ..1. Size:4179K  cn marching-power
 mpgw20r170.pdf pdf_icon

MPGW20R170

MPGW20R170 FEATURES BV DSS=200V, I D=80A RDS(on) @ 17m (Max) V GS=10V Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous Rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking MPGW20R17

Другие IGBT... AMPCW120R40CU, MPGC15R063, MPGC20R170, MPGJ04R017, MPGJ10R7, MPGJ80R040, MPGP06R030H, MPGP10R033, STP65NF06, MPSA60M082, MPSW60M082, MPSA60M160, MPSP60M160, MPSH60M160, MPSC60M160, MPSW60M160, MPSA60M240