Справочник MOSFET. MPGW20R170

 

MPGW20R170 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPGW20R170
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 523 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для MPGW20R170

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPGW20R170 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4179K  cn marching-power
 mpgw20r170.pdf pdf_icon

MPGW20R170

MPGW20R170FEATURESBVDSS=200V, ID=80ARDS(on) @ :17m (Max) VGS=10V Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliantAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (UPS) High-Frequency Switching and Synchronous RectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingMPGW20R17

Другие MOSFET... AMPCW120R40CU , MPGC15R063 , MPGC20R170 , MPGJ04R017 , MPGJ10R7 , MPGJ80R040 , MPGP06R030H , MPGP10R033 , IRFZ48N , MPSA60M082 , MPSW60M082 , MPSA60M160 , MPSP60M160 , MPSH60M160 , MPSC60M160 , MPSW60M160 , MPSA60M240 .

History: NCE65N900I | NCE70N380I | SIA910EDJ | AOI296A | TSU5N60M | SIA906EDJ | AP65SL600AR

 

 
Back to Top

 


 
.