FQP24N08 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FQP24N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FQP24N08
FQP24N08 Datasheet (PDF)
fqp24n08.pdf

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP24N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 80V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF)This advanced technology has been esp
Другие MOSFET... FQP17P10 , FQP19N20 , FQPF13N50C , FQP19N20C , FQPF12N60C , FQP20N06 , FQP20N06L , FQP22N30 , 5N65 , FQP27N25 , FQP27P06 , FQP2N60C , FQP12N60C , FQP2N80 , FQP8N60C , FQP2N90 , FQP30N06 .
History: SWF4N60D | AP8N4R2MT | VBZL60N03 | SSFM1022 | TSM60NB1R4CH | G2306A | TPC8114
History: SWF4N60D | AP8N4R2MT | VBZL60N03 | SSFM1022 | TSM60NB1R4CH | G2306A | TPC8114



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058