MPSA80M250B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPSA80M250B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для MPSA80M250B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPSA80M250B даташит

 ..1. Size:1101K  cn marching-power
 mpsa80m250b.pdf pdf_icon

MPSA80M250B

MPSA80M250B 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features BV DSS=800 V, I D =18 A RDS(on) @ 0.25 (Max) V GS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% Avalanche Tested G D Built-in ESD Diode S TO-220F Application Switch Mode Power Supply (SMPS) TV power & LED Lighting Power

 7.1. Size:1064K  cn marching-power
 mpsa80m670b.pdf pdf_icon

MPSA80M250B

MPSA80M670B 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features BV DSS=800 V, I D =8.0 A RDS(on) @ 0.67 (Max) V GS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% Avalanche Tested G D Built-in ESD Diode S TO-220F Application Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Sup

 7.2. Size:1073K  cn marching-power
 mpsa80m380b.pdf pdf_icon

MPSA80M250B

MPSA80M380B 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features BV DSS=800 V, I D =13.0 A RDS(on) @ 0.38 (Max) V GS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% Avalanche Tested G D Built-in ESD Diode S TO-220F Application Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Su

 7.3. Size:1141K  cn marching-power
 mpsa80m850b.pdf pdf_icon

MPSA80M250B

MPSA80M850B 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features BV DSS=800 V, I D =6.6 A RDS(on) @ 0.85 (Max) V GS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% Avalanche Tested G D Built-in ESD Diode S TO-220F Application Switch Mode Power Supply (SMPS) TV power & LED Lighting Power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MPSU65M990, MPSD65M990, MPSA70M200CFD, MPSA70M290, MPSP70M290, MPSH70M290, MPSC70M290, MPSA70M300CFD, AON6380, MPSA80M380B, MPSA80M670B, MPSA80M850B, MPSC60M160CFD, MPSC70M360B, MPSD70M600B, MPSD70M710B, MPSD70M910B