MPSY60M190B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MPSY60M190B
Маркировка: MP60M190B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 149 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
trⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm
Тип корпуса: DFN8X8
Аналог (замена) для MPSY60M190B
MPSY60M190B Datasheet (PDF)
mpsy60m190b.pdf
MPSY 60M190B-600V N-Channel Super Junction MOSFETFeaturesBV DSS=600 V, ID=18.6 ARDS(on) @ :0.19 (Max) VGS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) Extremely low switching lossD Excellent stability and uniformityS SPin1 : G 100% Avalanche TestedGPin2 : Driver Source Built-in ESD DiodeDFN8x8Application Switch Mode Power Suppl
mpsa65m390 mpsp65m390 mpsu65m390 mpsd65m390 mpsy65m390.pdf
MPSA65M390,MPSP65M390,MPSU65M390,MPSD65M390, MPSY65M390 FEATURES APPLICATIONS BVDSS=650V, ID=11A Switch Mode Power Supply (SMPS)RDS(on):0.39(Max)@VGS=10V Uninterruptible Power Supply (UPS)Very low FOM RDS(on)Qg Power Factor Correction (PFC) 100% avalanche tested RoHS compliantTO-220 TO-252TO-220FTO-251 DFN 8*8Device Marking and Package Inform
mpsa65m650 mpsp65m650 mpsu65m650 mpsd65m650 mpsy65m650.pdf
MPSA65M650,MPSP65M650,MPSU65M650,MPSD65M650,MPSY65M650 FEATURES APPLICATIONS BVDSS=650V, ID=8A Switch Mode Power Supply (SMPS)RDS(on):0.65(Max)@VGS=10V Uninterruptible Power Supply (UPS)Very low FOM RDS(on)Qg Power Factor Correction (PFC) 100% avalanche tested RoHS compliantTO-251 DFN 8*8TO-220FTO-220TO-252Device Marking and Package Informa
mpsa65m170 mpsp65m170 mpsh65m170 mpsc65m170 mpsw65m170 mpsy65m170.pdf
MPSA65M170,MPSP65M170,MPSC65M170,MPSH65M170,MPSW65M170,MPSY65M170FEATURES APPLICATIONS BVDSS=650V, ID=20A Switch Mode Power Supply (SMPS)RDS(on):0.17(Max)@VGS=10V Uninterruptible Power Supply (UPS)Very low FOM RDS(on)Qg Power Factor Correction (PFC) 100% avalanche tested RoHS compliantDSSPin1 : GGPin2 : Driver SourceTO-247TO-220F TO-2
mpsa65m260 mpsp65m260 mpsh65m260 mpsc65m260 mpsy65m260.pdf
MPSA65M260,MPSP65M260,MPSC65M260,MPSH65M260,MPSY65M260FEATURES APPLICATIONS BVDSS=650V, ID=15A Switch Mode Power Supply (SMPS)RDS(on):0.26(Max)@VGS=10V Uninterruptible Power Supply (UPS)Very low FOM RDS(on)Qg Power Factor Correction (PFC) 100% avalanche tested RoHS compliantTO-220FTO-220 TO-262 TO-263DFN 8*8Device Marking and Package Informat
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: MPGJ80R040
History: MPGJ80R040
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918