Справочник MOSFET. MPTP50N60N

 

MPTP50N60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPTP50N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MPTP50N60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPTP50N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1617K  cn marching-power
 mptp50n60n.pdf pdf_icon

MPTP50N60N

MPTP50N60NFEATURES BVDSS=60V, ID=50A RDS(on): 17m(Max)@VGS=10V RDS(on): 20m(Max)@VGS=4.5V100% avalanche tested RoHS compliantTO-220APPLICATIONS Load Switch Power Management Motor Drive ApplicationDevice Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPTP50N60N TO-220 MPTP50N60NAbsolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherw

Другие MOSFET... MPSW65M045B , MPSW65M046CFD , MPSW65M065 , MPSW65M092CFD , MPSY60M190B , MPTD50N60N , MPTO2N10 , MPTO3N60 , IRFB31N20D , MPVA10N65F , MPVA12N65F , MPVA13N50F , MPVA20N50B , MPVP20N50B , MPVW20N50B , MPVT20N50B , MPVA20N50F .

History: STW46NF30 | AP50T10GJ | 2SK1454 | 24NM60L-TF1-T | STL7NM60N | 2SK3835 | 2SK3652

 

 
Back to Top

 


 
.