Справочник MOSFET. MPTP50N60N

 

MPTP50N60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPTP50N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MPTP50N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1617K  cn marching-power
 mptp50n60n.pdf pdf_icon

MPTP50N60N

MPTP50N60NFEATURES BVDSS=60V, ID=50A RDS(on): 17m(Max)@VGS=10V RDS(on): 20m(Max)@VGS=4.5V100% avalanche tested RoHS compliantTO-220APPLICATIONS Load Switch Power Management Motor Drive ApplicationDevice Marking and Package InformationOrdering code Package MarkingMPTP50N60N TO-220 MPTP50N60NAbsolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherw

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HGN022NE4SL

 

 
Back to Top

 


 
.