MPTP50N60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPTP50N60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MPTP50N60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPTP50N60N даташит

 ..1. Size:1617K  cn marching-power
 mptp50n60n.pdf pdf_icon

MPTP50N60N

MPTP50N60N FEATURES BVDSS=60V, ID=50A RDS(on) 17m (Max)@VGS=10V RDS(on) 20m (Max)@VGS=4.5V 100% avalanche tested RoHS compliant TO-220 APPLICATIONS Load Switch Power Management Motor Drive Application Device Marking and Package Information Ordering code Package Marking MPTP50N60N TO-220 MPTP50N60N Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherw

Другие IGBT... MPSW65M045B, MPSW65M046CFD, MPSW65M065, MPSW65M092CFD, MPSY60M190B, MPTD50N60N, MPTO2N10, MPTO3N60, IRF2807, MPVA10N65F, MPVA12N65F, MPVA13N50F, MPVA20N50B, MPVP20N50B, MPVW20N50B, MPVT20N50B, MPVA20N50F