Справочник MOSFET. MPVT20N50B

 

MPVT20N50B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPVT20N50B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 221 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для MPVT20N50B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPVT20N50B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1207K  cn marching-power
 mpva20n50b mpvp20n50b mpvw20n50b mpvt20n50b.pdf pdf_icon

MPVT20N50B

MPVX20N50B SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 500V, ID=20A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 0.3(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGSTO-220F TO-220 TO-247TO-3POrdering InformationType NO. Mar

Другие MOSFET... MPTO3N60 , MPTP50N60N , MPVA10N65F , MPVA12N65F , MPVA13N50F , MPVA20N50B , MPVP20N50B , MPVW20N50B , RU6888R , MPVA20N50F , MPVA20N65F , MPVP20N65F , MPVA2N65BK , MPVU2N65BK , MPVD2N65BK , MPVA4N65F , MPVU4N65F .

History: BSC072N03LDG | RJK2017DPP | VBA2333 | QM4002AD | APT60M80L2VFRG | SL2308

 

 
Back to Top

 


 
.