MPVU5N50CCFD - аналоги и даташиты транзистора

 

MPVU5N50CCFD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPVU5N50CCFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для MPVU5N50CCFD

 

MPVU5N50CCFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:601K  cn marching-power
 mpvu5n50ccfd mpvd5n50ccfd.pdf pdf_icon

MPVU5N50CCFD

MPVX5N50CCFD Series Power MOSFET MPSW60M041 FEATURES APPLICATIONS BVDSS 500V, ID=5A Power switch circuit of adaptor and charger RDS(on) 1.7 (Max) @VGS=10V Very Low FOM (RDS(on) *Qg) Excellent stability and uniformity D G TO-252 TO-251 S Ordering Information Type NO. Marking Package Code MPVU5N50CCFD MPVU5N50CCFD TO-251 MPVD5N50CCFD MPVD5N50CCFD TO-252 Abso

Другие MOSFET... MPVD2N65BK , MPVA4N65F , MPVU4N65F , MPVD4N65F , MPVA4N70F , MPVU4N70F , MPVD4N70F , MPVA7N65F , RU7088R , MPVD5N50CCFD , FDM20R120AN4G , FDM30R650AN4G , FDM40R120AN4G , FDM50R120AN4G , FDM60R65AN4G , FDM80R120AN4G , FDZ65T300D8G .

History: PSMN2R0-25MLD | JCS4N90RA | MTM86128 | SSF1030D | AP10N9R0R | AP05N50EJ | 2SK821

 

 
Back to Top

 


 
.