FIR10N10LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FIR10N10LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для FIR10N10LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR10N10LG даташит

 ..1. Size:1918K  first semi
 fir10n10lg.pdf pdf_icon

FIR10N10LG

FIR10N10LG 100V N-Channel MOSFET-SE TO-252 Features 2 Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge Qg= 14nC (Typ.). 1 BVDSS=100V,ID=10A 3 RDS(on) 0.21 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S) Absolute Maximum Ratings (TA=25 un

 8.1. Size:4610K  first semi
 fir10n50fg.pdf pdf_icon

FIR10N10LG

FIR10N50FG N - CHANNEL MOSFET-G PIN Connection TO-220F VDSS 500 V ID 10 A PD(TC=25 ) 40 W RDS(ON)Typ 0.5 General Description G D S , the silicon N-channel Enhanced FIR10N50FG VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology D which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor G can be

 8.2. Size:2398K  first semi
 fir10n70fg.pdf pdf_icon

FIR10N10LG

FIR10N70FG 700V N-Channel MOSFET-G PIN Connection TO-220F Features Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge Qg= 37nC (Typ.). BVDSS=700V,ID=10A G DS RDS(on) 1.0 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested g Schematic dia ram D G S Marking Diagram Y = Year A = Assembly Locati

 8.3. Size:4827K  first semi
 fir10n80fg.pdf pdf_icon

FIR10N10LG

FIR10N80FG N-Channel Power MOSFET PIN Connection TO-220F VDSS 800 V ID 9 A PD(TC=25 ) 190 W RDS(ON) 1.2 G D S Features g Schematic dia ram D Fast Switching Low ON Resistance(Rdson 1.20 ) G Low Gate Charge (Typical Data 48nC) Low Reverse transfer capacitances(Typical 17pF) S 100% Single Pulse avalanche energy Test Marking Diagram Applications Y

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDM20R120AN4G, FDM30R650AN4G, FDM40R120AN4G, FDM50R120AN4G, FDM60R65AN4G, FDM80R120AN4G, FDZ65T300D8G, FDZ90T150PG, IRF740, FIR10N20LG, FIR10N50FG, FIR10N70FG, FIR10N80FG, FIR110N10PG, FIR11N40FG, FIR11N90ANG, FIR11NS65AFG