FIR10N80FG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FIR10N80FG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FIR10N80FG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR10N80FG даташит

 ..1. Size:4827K  first semi
 fir10n80fg.pdf pdf_icon

FIR10N80FG

FIR10N80FG N-Channel Power MOSFET PIN Connection TO-220F VDSS 800 V ID 9 A PD(TC=25 ) 190 W RDS(ON) 1.2 G D S Features g Schematic dia ram D Fast Switching Low ON Resistance(Rdson 1.20 ) G Low Gate Charge (Typical Data 48nC) Low Reverse transfer capacitances(Typical 17pF) S 100% Single Pulse avalanche energy Test Marking Diagram Applications Y

 8.1. Size:4610K  first semi
 fir10n50fg.pdf pdf_icon

FIR10N80FG

FIR10N50FG N - CHANNEL MOSFET-G PIN Connection TO-220F VDSS 500 V ID 10 A PD(TC=25 ) 40 W RDS(ON)Typ 0.5 General Description G D S , the silicon N-channel Enhanced FIR10N50FG VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology D which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor G can be

 8.2. Size:2398K  first semi
 fir10n70fg.pdf pdf_icon

FIR10N80FG

FIR10N70FG 700V N-Channel MOSFET-G PIN Connection TO-220F Features Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge Qg= 37nC (Typ.). BVDSS=700V,ID=10A G DS RDS(on) 1.0 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested g Schematic dia ram D G S Marking Diagram Y = Year A = Assembly Locati

 8.3. Size:2148K  first semi
 fir10n20lg.pdf pdf_icon

FIR10N80FG

FIR10N20LG 200V N-Channel MOSFET-C TO-252 2 Features Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics 1 Extended Safe Operating Area Unrivalled Gate Charge 22 nC (Typ.) 3 BVDSS=200V,ID=10A Lower RDS(on) 0.4 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested 1.Gate (G) 2.Drain (D) 3.Source (S) Absolute Maximum Ratings (Ta=25 unless otherw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDM60R65AN4G, FDM80R120AN4G, FDZ65T300D8G, FDZ90T150PG, FIR10N10LG, FIR10N20LG, FIR10N50FG, FIR10N70FG, IRF540, FIR110N10PG, FIR11N40FG, FIR11N90ANG, FIR11NS65AFG, FIR11NS70AFG, FIR120N08PG, FIR12N15LG, FIR12N70FG