Справочник MOSFET. FQP32N20C

 

FQP32N20C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP32N20C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 82.5 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FQP32N20C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP32N20C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1208K  fairchild semi
 fqp32n20c fqpf32n20c.pdf pdf_icon

FQP32N20C

QFETFQP32N20C/FQPF32N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 28A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF)This advanced technology has been especially tailo

 ..2. Size:1184K  onsemi
 fqp32n20c fqpf32n20c.pdf pdf_icon

FQP32N20C

QFETFQP32N20C/FQPF32N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 28A, 200V, RDS(on) = 0.082 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 82.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 185 pF)This advanced technology has been especially tailo

 8.1. Size:856K  fairchild semi
 fqp32n12v2 fqpf32n12v2.pdf pdf_icon

FQP32N20C

QFETFQP32N12V2/FQPF32N12V2120V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 32 A, 120V, RDS(on) = 0.05 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology has been especially tailor

Другие MOSFET... FQP27P06 , FQP2N60C , FQP12N60C , FQP2N80 , FQP8N60C , FQP2N90 , FQP30N06 , FQP30N06L , P0903BDG , FQB6N40C , FQP33N10 , FQB8N90CTM , FQP34N20 , FCPF11N60 , FQP3N30 , FQP3N60C , FCP11N60 .

History: FDMC86102LZ | 2SJ326

 

 
Back to Top

 


 
.