FIR15N10LG - аналоги и даташиты транзистора

 

FIR15N10LG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FIR15N10LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для FIR15N10LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR15N10LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3526K  first semi
 fir15n10lg.pdf pdf_icon

FIR15N10LG

FIR15N10LGN-Channel 100V(D-S) MOSFETPIN Connection TO-252General DescriptionThe FIR15N10LG is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as c

 9.1. Size:4641K  first semi
 fir150n06pg.pdf pdf_icon

FIR15N10LG

FIR150N06PGN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220ABDescriptionThe FIR150N06G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =150A RDS(ON)

Другие MOSFET... FIR12N70FG , FIR12N80FG , FIR13N50FG , FIR14N50FG , FIR14N65FG , FIR14NS65AFG , FIR14NS70AFG , FIR150N06PG , IRF9540 , FIR16N06DG , FIR16N50FG , FIR18N50FG , FIR18N65FG , FIR19N20LG , FIR20N06LG , FIR20N10LG , FIR20N15LG .

History: TK9J90E | IXTQ130N10T

 

 
Back to Top

 


 
.