FIR2N80FG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FIR2N80FG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FIR2N80FG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR2N80FG даташит

 ..1. Size:2079K  first semi
 fir2n80fg.pdf pdf_icon

FIR2N80FG

FIR2N80FG 800V N-Channel MOSFET-T PIN Connection TO-220F Features Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge Qg=12nC (Typ.). BVDSS=800V,ID=2A G RDS(on) 6.3 (Max) @VG=10V D S 100% Avalanche Tested g Schematic dia ram D G S Y = Year A = Assembly Location WW = W

 9.1. Size:1681K  first semi
 fir2n60alg.pdf pdf_icon

FIR2N80FG

FIR2N60ALG Advanced N-Ch Power MOSFET PIN Connection TO-252(D-PAK) General Description FIR2N60ALG is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan D proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved G planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, prov

 9.2. Size:2194K  first semi
 fir2n65afg.pdf pdf_icon

FIR2N80FG

FIR2N65AFG Advanced N-Ch Power MOSFET-X PIN Connection TO-220F Features Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge Qg=6.5nC (Typ.). BVDSS=650V,ID=2A G RDS(on) 4.2 (Typ) @VG=10V DS 100% Avalanche Tested g Schematic dia ram D G S Y = Year A = Assembly Location WW = Wor

 9.3. Size:2012K  first semi
 fir2n70fg.pdf pdf_icon

FIR2N80FG

FIR2N70FG Advanced N-Ch Power MOSFET-T PIN Connection TO-220F Features Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge Qg=9nC (Typ.). BVDSS=700V,ID=2A RDS(on) 6.3 (Max) @VG=10V G 100% Avalanche Tested D S g Schematic dia ram D G S Marking Diagram Y = Year A = Assem

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FIR20N60FG, FIR20N65FG, FIR20NS65AFG, FIR24N50APTG, FIR25N03D3G, FIR2N60AFG, FIR2N65AFG, FIR2N70FG, SPP20N60C3, FIR30N03D3G, FIR40N10LG, FIR40N15LG, FIR40N20LG, FIR4N70FG, FIR4N80FG, FIR4N90FG, FIR50N06LG