FIR40N15LG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FIR40N15LG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для FIR40N15LG
FIR40N15LG Datasheet (PDF)
fir40n15lg.pdf
FIR40N15LGN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-252DescriptionThe FIR40N15LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =40A RDS(ON)
fir40n10lg.pdf
FIR40N10LG100V N-Channel MOSFET TO-252Features: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge :Qg= 61.7nC (Typ.). BVDSS=100V,ID=40A RDS(on) : 0.032 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested 1.Gate (G)2.Drain (D)3.Sourse (S)Absolute Maximum Ratings* (Tc=25 Unless otherwise no
fir40n20lg.pdf
FIR40N20LGN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-252DescriptionThe FIR40N20LG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918