Справочник MOSFET. FIR80N10LG

 

FIR80N10LG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FIR80N10LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 194.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для FIR80N10LG

 

 

FIR80N10LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2326K  first semi
 fir80n10lg.pdf

FIR80N10LG FIR80N10LG

FIR80N10LG100V N-Channel MOSFET TO-252Features: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge :Qg= 19.8nC (Typ.). BVDSS=100V,ID=80A RDS(on) : 0.035 (Max) @VG=10V1.Gate (G) 100% Avalanche Tested2.Drain (D)3.Sourse (S)Marking DiagramYAWWY = YearFIR80N10LA = Assembly

 8.1. Size:1841K  first semi
 fir80n03lg.pdf

FIR80N10LG FIR80N10LG

FIR80N03LG80A,30V N-CHANNEL MOSFET-EPIN Connection TO-252(D-PAK)DESCRIPTION DThe is an N-channel enhancement mode power MOS FIR80N03LGfield effect transistor which is produced using Silan's LVMOS Gtechnology. The improved process and cell structure have been Sespecially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is w

 8.2. Size:3622K  first semi
 fir80n08pg.pdf

FIR80N10LG FIR80N10LG

FIR80N08PGN-Channel Enhancement Mode Power Mosfet-DPIN Connection TO-220DescriptionThe FIR80N08PG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. General Features VDS =80V,ID =80A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top