FIR8N60FG - аналоги и даташиты транзистора

 

FIR8N60FG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FIR8N60FG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FIR8N60FG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR8N60FG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2461K  first semi
 fir8n60fg.pdf pdf_icon

FIR8N60FG

FIR8N60FG600V N-Channel MOSFET PIN Connection TO-220FFeatures: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge :Qg=25.9nC (Typ.). BVDSS=600V,ID=7A RDS(on) : 1.2 (Max) @VG=10VG D S 100% Avalanche TestedgSchematic dia ram D G S Marking DiagramY = YearA = Assembly

 8.1. Size:3949K  first semi
 fir8n65fg.pdf pdf_icon

FIR8N60FG

FIR8N65FG650V N-Channel MOSFET PIN Connection TO-220FFeatures: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge :Qg=28nC (Typ.). BVDSS=650V,ID=7AG RDS(on) : 1.30 (Max) @VG=10VD S 100% Avalanche TestedgSchematic dia ram D G S Y = YearA = Assembly LocationWW = W

 9.1. Size:4035K  first semi
 fir8n80fg.pdf pdf_icon

FIR8N60FG

FIR8N80FGAdvanced N-Ch Power MOSFETPIN Connection TO-220FFeatures Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Extended Safe Operating Area Unrivalled Gate Charge :Qg= 27nC (Typ.) G BVDSS=800V,ID=7.5A D S RDS(on) : 1.9 (Max) @VG=10V gSchematic dia ram D 100% Avalanche Tested G S Marking DiagramY = YearA

 9.2. Size:3128K  first semi
 fir8n70fg.pdf pdf_icon

FIR8N60FG

FIR8N70FGPIN Connection TO-220F700V N-Channel MOSFET Features: Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Extended Safe Operating Area Unrivalled Gate Charge :Qg= 22nC (Typ.)G BVDSS=700V,ID=8AD S RDS(on) : 1.4 (Max) @VG=10V 100% Avalanche TestedgSchematic dia ram D G S Marking DiagramY = YearA = Assembly Loc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FIR6N70FG , FIR6N90FG , FIR7NS65AFG , FIR7NS70AFG , FIR7NS70ALG , FIR80N03LG , FIR80N08PG , FIR80N10LG , SI2302 , FIR8N65FG , FIR8N70FG , FIR8N80FG , FIR96N08PG , FIR9N50FG , FIR9N65LG , FIR9N90FG , DAC014N120Z5 .

History: 2P978V

 

 
Back to Top

 


 
.