Справочник MOSFET. DAC014N120Z5

 

DAC014N120Z5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DAC014N120Z5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DAC014N120Z5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1115K  dacosemi
 dac014n120z5.pdf pdf_icon

DAC014N120Z5

DAC014N120Z5Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETFeaturesVDSS 1200V I 135AD(@25 ) RDS(ON) 14m TO-247-4L Benefits Pack

 9.1. Size:1399K  dacosemi
 dac016n120z2.pdf pdf_icon

DAC014N120Z5

DAC016N120Z2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 115AD(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-4L B

 9.2. Size:1769K  dacosemi
 dac016n120p2.pdf pdf_icon

DAC014N120Z5

DAC016N120P2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 115AD(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-3L Bene

 9.3. Size:1112K  dacosemi
 dac015n065z2.pdf pdf_icon

DAC014N120Z5

DAC015N065Z2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 650VFeaturesI 120AD(@25 ) RDS(ON) 15m TO-247-4L Benefits

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 20N65NF | HM3416B | DACMI060N120BZK | 2302P | CWDM3011P | HM30N10D | CSP10N4P2

 

 
Back to Top

 


 
.