Справочник MOSFET. DAC016N120Z2

 

DAC016N120Z2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DAC016N120Z2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 556 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 211 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0223 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DAC016N120Z2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1399K  dacosemi
 dac016n120z2.pdf pdf_icon

DAC016N120Z2

DAC016N120Z2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 115AD(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-4L B

 4.1. Size:1769K  dacosemi
 dac016n120p2.pdf pdf_icon

DAC016N120Z2

DAC016N120P2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 115AD(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-3L Bene

 9.1. Size:1112K  dacosemi
 dac015n065z2.pdf pdf_icon

DAC016N120Z2

DAC015N065Z2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 650VFeaturesI 120AD(@25 ) RDS(ON) 15m TO-247-4L Benefits

 9.2. Size:1115K  dacosemi
 dac014n120z5.pdf pdf_icon

DAC016N120Z2

DAC014N120Z5Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETFeaturesVDSS 1200V I 135AD(@25 ) RDS(ON) 14m TO-247-4L Benefits Pack

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.