Справочник MOSFET. DAC016N120Z2

 

DAC016N120Z2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DAC016N120Z2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 556 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 211 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0223 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4L

 Аналог (замена) для DAC016N120Z2

 

 

DAC016N120Z2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1399K  dacosemi
 dac016n120z2.pdf

DAC016N120Z2 DAC016N120Z2

DAC016N120Z2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 115AD(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-4L B

 4.1. Size:1769K  dacosemi
 dac016n120p2.pdf

DAC016N120Z2 DAC016N120Z2

DAC016N120P2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 115AD(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-3L Bene

 9.1. Size:1112K  dacosemi
 dac015n065z2.pdf

DAC016N120Z2 DAC016N120Z2

DAC015N065Z2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 650VFeaturesI 120AD(@25 ) RDS(ON) 15m TO-247-4L Benefits

 9.2. Size:1115K  dacosemi
 dac014n120z5.pdf

DAC016N120Z2 DAC016N120Z2

DAC014N120Z5Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETFeaturesVDSS 1200V I 135AD(@25 ) RDS(ON) 14m TO-247-4L Benefits Pack

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP2764AI-A-HF

 

 
Back to Top