DAC020N065Z1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DAC020N065Z1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 107 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 359 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: TO247-4L
Аналог (замена) для DAC020N065Z1
DAC020N065Z1 Datasheet (PDF)
dac020n065z1.pdf
DAC020N065Z1DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 650VFeaturesI 107AD(@25 ) DrainRDS(ON) 20m(Pin1, TAB) TO-247-4L Package Gate
dac021n120z4.pdf
DAC021N120Z4Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 100AD(@25 ) RDS(ON) 20.5m TO-247-4L Applications Package Dimensions E AA2P
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918