Справочник MOSFET. DAC040N120P2

 

DAC040N120P2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DAC040N120P2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DAC040N120P2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAC040N120P2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1396K  dacosemi
 dac040n120p2.pdf pdf_icon

DAC040N120P2

DAC040N120P2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 60AD(@25 ) RDS(ON) 40m TO-247-3LBenefits

 4.1. Size:492K  dacosemi
 dac040n120z1.pdf pdf_icon

DAC040N120P2

DAC040N120Z1DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VFeaturesI 62AD(@25 ) RDS(ON) 40mDrain (Pin1, TAB) TO-247-.4L Package

 4.2. Size:1556K  dacosemi
 dac040n120z5.pdf pdf_icon

DAC040N120P2

DAC040N120Z5Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETFeaturesVDSS 1200VPreliminary I 54AD(@25 ) RDS(ON) 40m TO-247-4L Benefits

Другие MOSFET... FIR9N90FG , DAC014N120Z5 , DAC015N065Z2 , DAC016N120P2 , DAC016N120Z2 , DAC020N065Z1 , DAC021N120Z4 , DAC030N120Z1 , NCEP15T14 , DAC040N120Z1 , DAC040N120Z5 , DAC060N120P1 , DACMH120N1200 , DACMH160N1200 , DACMH200N1200 , DACMH40N1200 , DACMH80N1200 .

History: WFP18N20 | P1560JD | MSD2N60 | CMUDM7590 | 2SK1805 | APT8024LLLG | WFF18N50

 

 
Back to Top

 


 
.