Справочник MOSFET. DACMH200N1200

 

DACMH200N1200 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DACMH200N1200
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 980 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 382 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DACMH200N1200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  dacosemi
 dacmh200n1200.pdf pdf_icon

DACMH200N1200

DACMH200N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

 9.1. Size:564K  dacosemi
 dacmh120n1200.pdf pdf_icon

DACMH200N1200

DACMH120N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

 9.2. Size:522K  dacosemi
 dacmh40n1200.pdf pdf_icon

DACMH200N1200

DACMH40N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeaturesHB-9434 VDSS = 1200V RDS(ON)

 9.3. Size:527K  dacosemi
 dacmh80n1200.pdf pdf_icon

DACMH200N1200

DACMH80N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: DADMH056N090Z1B | HM2300B

 

 
Back to Top

 


 
.