DACMH200N1200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DACMH200N1200

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 980 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для DACMH200N1200

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DACMH200N1200 даташит

 ..1. Size:555K  dacosemi
 dacmh200n1200.pdf pdf_icon

DACMH200N1200

DACMH200N1200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 1200V RDS(ON)

 9.1. Size:564K  dacosemi
 dacmh120n1200.pdf pdf_icon

DACMH200N1200

DACMH120N1200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 1200V RDS(ON)

 9.2. Size:522K  dacosemi
 dacmh40n1200.pdf pdf_icon

DACMH200N1200

DACMH40N1200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary Features HB-9434 VDSS = 1200V RDS(ON)

 9.3. Size:527K  dacosemi
 dacmh80n1200.pdf pdf_icon

DACMH200N1200

DACMH80N1200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 1200V RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DAC021N120Z4, DAC030N120Z1, DAC040N120P2, DAC040N120Z1, DAC040N120Z5, DAC060N120P1, DACMH120N1200, DACMH160N1200, IRF9640, DACMH40N1200, DACMH80N1200, DACMI060N120BZK, DACMI060N170BZK, DACMI120N120BZK, DACMI150N120BZK3, DACMI180N120BZK, DACMI240N120BZK