Справочник MOSFET. DADMI040N120Z1B

 

DADMI040N120Z1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DADMI040N120Z1B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.322 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для DADMI040N120Z1B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DADMI040N120Z1B Datasheet (PDF)

 0.1. Size:483K  dacosemi
dadmi040n120z1b.pdfpdf_icon

DADMI040N120Z1B

DADMI040N120Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 1200V / 40APreliminary SOT-227FeaturesSG VDSS = 1200V RDS(ON)

 8.1. Size:484K  dacosemi
dadmi056n090z1b.pdfpdf_icon

DADMI040N120Z1B

DADMI056N090Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 900V / 56ASOT-227PreliminarySFeaturesG VDSS = 900V RDS(ON)

Другие MOSFET... DACMI120N120BZK , DACMI150N120BZK3 , DACMI180N120BZK , DACMI240N120BZK , DACMI250N120BZK3 , DACMI450N120BZK3 , DADMH040N120Z1B , DADMH056N090Z1B , IRFZ44N , DADMI056N090Z1B , DAEMI040N120Z1B , DAEMI056N090Z1B , DAMH160N200 , DAMH220N150 , DAMH220N200 , DAMH280N200 , DAMH300N150 .

History: AM3454N | AOY2610E | MEM4N60A3G | ME4454-G | IRFS4620 | HSU3016 | BLP032N06-Q

 

 
Back to Top

 


 
.