DAEMI040N120Z1B - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

DAEMI040N120Z1B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: DAEMI040N120Z1B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.322 Ohm
   Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для DAEMI040N120Z1B