DAEMI040N120Z1B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DAEMI040N120Z1B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.322 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для DAEMI040N120Z1B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAEMI040N120Z1B даташит

 0.1. Size:462K  dacosemi
 daemi040n120z1b.pdf pdf_icon

DAEMI040N120Z1B

DAEMI040N120Z1B T DACO SEMICONDUC OR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 1200V / 40A Preliminary SOT-227 Features S G VDSS = 1200V RDS(ON)

 8.1. Size:464K  dacosemi
 daemi056n090z1b.pdf pdf_icon

DAEMI040N120Z1B

DAEMI056N090Z1B T DACO SEMICONDUC OR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 900V / 56A SOT-227 Preliminary Features S G VDSS = 900V RDS(ON)

Другие IGBT... DACMI180N120BZK, DACMI240N120BZK, DACMI250N120BZK3, DACMI450N120BZK3, DADMH040N120Z1B, DADMH056N090Z1B, DADMI040N120Z1B, DADMI056N090Z1B, IRF740, DAEMI056N090Z1B, DAMH160N200, DAMH220N150, DAMH220N200, DAMH280N200, DAMH300N150, DAMH320N100, DAMH360N150