DAMH220N150 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DAMH220N150
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 831 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DAMH220N150
DAMH220N150 Datasheet (PDF)
damh220n150.pdf
DAMH220N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 150V RDS(ON)
damh220n200.pdf
DAMH220N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 200V RDS(ON)
damh280n200.pdf
DAMH280N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeaturesHB-9434 VDSS = 200V RDS(ON)
Другие MOSFET... DACMI450N120BZK3 , DADMH040N120Z1B , DADMH056N090Z1B , DADMI040N120Z1B , DADMI056N090Z1B , DAEMI040N120Z1B , DAEMI056N090Z1B , DAMH160N200 , IRF540N , DAMH220N200 , DAMH280N200 , DAMH300N150 , DAMH320N100 , DAMH360N150 , DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 .
History: KP809V | FQB5N20LTM | DH033N03E | IRF610LPBF | IPP25N06S3-25
History: KP809V | FQB5N20LTM | DH033N03E | IRF610LPBF | IPP25N06S3-25
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor