DAMH360N150 - аналоги и даташиты транзистора

 

DAMH360N150 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DAMH360N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DAMH360N150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMH360N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  dacosemi
 damh360n150.pdf pdf_icon

DAMH360N150

DAMH360N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeatures HB-9434 VDSS = 150V RDS(ON)

 9.1. Size:285K  dacosemi
 damh300n150.pdf pdf_icon

DAMH360N150

DAMH300N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 150V RDS(ON)

 9.2. Size:284K  dacosemi
 damh320n100.pdf pdf_icon

DAMH360N150

DAMH320N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 100V RDS(ON)

Другие MOSFET... DAEMI040N120Z1B , DAEMI056N090Z1B , DAMH160N200 , DAMH220N150 , DAMH220N200 , DAMH280N200 , DAMH300N150 , DAMH320N100 , IRF640 , DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 , DAMH75N500H , DAMI160N100 , DAMI160N200 , DAMI220N150 , DAMI220N200 .

 

 
Back to Top

 


 
.