DAMH360N150. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DAMH360N150

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для DAMH360N150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMH360N150 даташит

 ..1. Size:284K  dacosemi
 damh360n150.pdf pdf_icon

DAMH360N150

DAMH360N150 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary Features HB-9434 VDSS = 150V RDS(ON)

 9.1. Size:285K  dacosemi
 damh300n150.pdf pdf_icon

DAMH360N150

DAMH300N150 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 150V RDS(ON)

 9.2. Size:284K  dacosemi
 damh320n100.pdf pdf_icon

DAMH360N150

DAMH320N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 100V RDS(ON)

Другие IGBT... DAEMI040N120Z1B, DAEMI056N090Z1B, DAMH160N200, DAMH220N150, DAMH220N200, DAMH280N200, DAMH300N150, DAMH320N100, IRF640, DAMH450N100, DAMH50N500H, DAMH560N100, DAMH75N500H, DAMI160N100, DAMI160N200, DAMI220N150, DAMI220N200