DAMH360N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DAMH360N150
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DAMH360N150
DAMH360N150 Datasheet (PDF)
damh360n150.pdf
DAMH360N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeatures HB-9434 VDSS = 150V RDS(ON)
damh300n150.pdf
DAMH300N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 150V RDS(ON)
damh320n100.pdf
DAMH320N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 100V RDS(ON)
Другие MOSFET... DAEMI040N120Z1B , DAEMI056N090Z1B , DAMH160N200 , DAMH220N150 , DAMH220N200 , DAMH280N200 , DAMH300N150 , DAMH320N100 , IRFP460 , DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 , DAMH75N500H , DAMI160N100 , DAMI160N200 , DAMI220N150 , DAMI220N200 .
History: IXFH23N80Q | HY1803C2 | IXTH44P15T | ME4972-G | FMP20N50E | P4506BD | MXP4004BT
History: IXFH23N80Q | HY1803C2 | IXTH44P15T | ME4972-G | FMP20N50E | P4506BD | MXP4004BT
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent