DAMH50N500H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DAMH50N500H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DAMH50N500H
DAMH50N500H Datasheet (PDF)
damh50n500h.pdf
DAMH50N500HDACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 500V / 50AHB-9434PreliminaryFeatures VDSS = 500V RDS(ON) Typ.110 GS Fully Avalanche Rated Pb Free & RoHS Compliant Isolation Type Package Electrically Isolation base plateApplications Backlighting Power Converters Synchronous Rectifiers Absolute Maxi
damh560n100.pdf
DAMH560N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 100V RDS(ON)
Другие MOSFET... DAMH160N200 , DAMH220N150 , DAMH220N200 , DAMH280N200 , DAMH300N150 , DAMH320N100 , DAMH360N150 , DAMH450N100 , IRFB4110 , DAMH560N100 , DAMH75N500H , DAMI160N100 , DAMI160N200 , DAMI220N150 , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l