DAMH50N500H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DAMH50N500H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для DAMH50N500H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMH50N500H даташит

 ..1. Size:328K  dacosemi
 damh50n500h.pdf pdf_icon

DAMH50N500H

DAMH50N500H DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 500V / 50A HB-9434 Preliminary Features VDSS = 500V RDS(ON) Typ.110 GS Fully Avalanche Rated Pb Free & RoHS Compliant Isolation Type Package Electrically Isolation base plate Applications Backlighting Power Converters Synchronous Rectifiers Absolute Maxi

 9.1. Size:288K  dacosemi
 damh560n100.pdf pdf_icon

DAMH50N500H

DAMH560N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 100V RDS(ON)

Другие IGBT... DAMH160N200, DAMH220N150, DAMH220N200, DAMH280N200, DAMH300N150, DAMH320N100, DAMH360N150, DAMH450N100, IRLZ44N, DAMH560N100, DAMH75N500H, DAMI160N100, DAMI160N200, DAMI220N150, DAMI220N200, DAMI280N200, DAMI300N150