DAMI300N150. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DAMI300N150

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1246 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для DAMI300N150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMI300N150 даташит

 ..1. Size:510K  dacosemi
 dami300n150.pdf pdf_icon

DAMI300N150

DAMI300N150 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features S VDSS = 150V G RDS(ON)

 9.1. Size:510K  dacosemi
 dami320n100.pdf pdf_icon

DAMI300N150

DAMI320N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-227 Preliminary Features S G VDSS = 100V RDS(ON)

 9.2. Size:503K  dacosemi
 dami330n60.pdf pdf_icon

DAMI300N150

DAMI330N60 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Preliminary SOT-227 VDSS = 60V S G RDS(ON)

 9.3. Size:509K  dacosemi
 dami360n150.pdf pdf_icon

DAMI300N150

DAMI360N150 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features S G VDSS = 150V RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DAMH50N500H, DAMH560N100, DAMH75N500H, DAMI160N100, DAMI160N200, DAMI220N150, DAMI220N200, DAMI280N200, AON6414A, DAMI320N100, DAMI330N60, DAMI360N150, DAMI450N100, DAMI500N60, DAMI560N100, DAMI660N60, DAMIA1100N100