DAMI450N100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DAMI450N100  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 626 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 450 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2136 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm

Тип корпуса: SOT227

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DAMI450N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMI450N100 даташит

 ..1. Size:511K  dacosemi
 dami450n100.pdf pdf_icon

DAMI450N100

DAMI450N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-227 Preliminary Features S G VDSS = 100V RDS(ON)

Другие IGBT... DAMI160N200, DAMI220N150, DAMI220N200, DAMI280N200, DAMI300N150, DAMI320N100, DAMI330N60, DAMI360N150, IRF9540, DAMI500N60, DAMI560N100, DAMI660N60, DAMIA1100N100, P0165ED, P0165EI, P0260EDA, P0260EIA