DAMI560N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DAMI560N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 560 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3944 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для DAMI560N100
DAMI560N100 Datasheet (PDF)
dami560n100.pdf
DAMI560N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-227PreliminaryFeaturesSG VDSS = 100V RDS(ON)
dami500n60.pdf
DAMI500N60DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures PreliminarySOT-227 VDSS = 60VSG RDS(ON)
Другие MOSFET... DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , DAMI500N60 , AON7408 , DAMI660N60 , DAMIA1100N100 , P0165ED , P0165EI , P0260EDA , P0260EIA , P0306BT , P0406AK .
History: BL9N20-D | SVD50N06T | BLS2933-100 | ME75N03-G | AM7343P | FTK80N10P | CEB83A3
History: BL9N20-D | SVD50N06T | BLS2933-100 | ME75N03-G | AM7343P | FTK80N10P | CEB83A3
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement