Справочник MOSFET. P0908AK

 

P0908AK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0908AK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 322 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для P0908AK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0908AK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  niko-sem
 p0908ak.pdf pdf_icon

P0908AK

N-Channel Enhancement Mode P0908AKNIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreeDD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G80V 9m 50A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 80 VGate-Source Voltage VGS

 8.1. Size:798K  unikc
 p0908ad.pdf pdf_icon

P0908AK

P0908ADN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V80V 69ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C69IDContinuous Drain Current3TC= 100 C44AIDM160Pulsed Drain Current1,2IASAvalanche Cu

 8.2. Size:810K  unikc
 p0908atf.pdf pdf_icon

P0908AK

P0908ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V80V 43ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C43IDContinuous Drain Current2TC = 100 C27AIDM160Pulsed Drain Current1,2IASAvalanche Current 38

 8.3. Size:568K  unikc
 p0908at.pdf pdf_icon

P0908AK

P0908ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V80V 64ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 80VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C64IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C41AIDM160Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0706BK , P0706BV , P0765JD , P0770ED , P0770JD , P0770JF , P0865ETF , P0903YK , IRFP250 , P1010AT , P1050ETF , P1060ETFNA , P1065ETF , P1120EF , P1160JD , P1160JF , P1165JD .

History: STD30PF03L-1 | SWT69N65K2F | NTJS4405NT4 | SI8499DB | PSMN1R1-40BS | 2SJ285

 

 
Back to Top

 


 
.