P1050ETF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1050ETF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.705 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для P1050ETF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1050ETF даташит

 ..1. Size:232K  niko-sem
 p1050etf.pdf pdf_icon

P1050ETF

P1050ETF N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 500V 705m 10A 2. DRAIN 3. SOURCE S 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 500 V Gate-Source Voltag

Другие IGBT... P0765JD, P0770ED, P0770JD, P0770JF, P0865ETF, P0903YK, P0908AK, P1010AT, IRFP450, P1060ETFNA, P1065ETF, P1120EF, P1160JD, P1160JF, P1165JD, P1165JFN, P1306ED