Справочник MOSFET. P1050ETF

 

P1050ETF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1050ETF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.705 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P1050ETF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  niko-sem
 p1050etf.pdf pdf_icon

P1050ETF

P1050ETF N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G500V 705m 10A 2. DRAIN 3. SOURCE S100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 500 V Gate-Source Voltag

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HUFA75321P3 | KHB011N40P1 | LNG045R140 | SQD30N05-20L | SFG08R08DF | AP3P9R0H | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.