Справочник MOSFET. P1050ETF

 

P1050ETF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1050ETF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.705 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для P1050ETF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1050ETF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  niko-sem
 p1050etf.pdf pdf_icon

P1050ETF

P1050ETF N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G500V 705m 10A 2. DRAIN 3. SOURCE S100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 500 V Gate-Source Voltag

Другие MOSFET... P0765JD , P0770ED , P0770JD , P0770JF , P0865ETF , P0903YK , P0908AK , P1010AT , IRF1407 , P1060ETFNA , P1065ETF , P1120EF , P1160JD , P1160JF , P1165JD , P1165JFN , P1306ED .

History: NTMD6P02R2G | STP3NK60Z | RU1HE4H | TPU65R600M | RJK0652DPB | 7N65KL-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.