P1160JD - аналоги и даташиты транзистора

 

P1160JD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P1160JD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 76 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.418 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для P1160JD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1160JD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  niko-sem
 p1160jd.pdf pdf_icon

P1160JD

N-Channel Enhancement Mode P1160JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 418m 11A 1. GATE 2. DRAIN G 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

 8.1. Size:315K  niko-sem
 p1160jf.pdf pdf_icon

P1160JD

N-Channel Enhancement Mode P1160JF NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220F Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 400m 11A DG1. GATE S 2. DRAIN 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

Другие MOSFET... P0865ETF , P0903YK , P0908AK , P1010AT , P1050ETF , P1060ETFNA , P1065ETF , P1120EF , 4N60 , P1160JF , P1165JD , P1165JFN , P1306ED , P1306EK , P1350ETF , P1406BV , P1410BD .

History: BLP03N10-P

 

 
Back to Top

 


 
.