P1160JD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1160JD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 76 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.418 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для P1160JD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1160JD даташит

 ..1. Size:305K  niko-sem
 p1160jd.pdf pdf_icon

P1160JD

N-Channel Enhancement Mode P1160JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 418m 11A 1. GATE 2. DRAIN G 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

 8.1. Size:315K  niko-sem
 p1160jf.pdf pdf_icon

P1160JD

N-Channel Enhancement Mode P1160JF NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220F Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 400m 11A D G 1. GATE S 2. DRAIN 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

Другие IGBT... P0865ETF, P0903YK, P0908AK, P1010AT, P1050ETF, P1060ETFNA, P1065ETF, P1120EF, 4N60, P1160JF, P1165JD, P1165JFN, P1306ED, P1306EK, P1350ETF, P1406BV, P1410BD