P1406BV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1406BV  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 239 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для P1406BV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1406BV даташит

 ..1. Size:206K  niko-sem
 p1406bv.pdf pdf_icon

P1406BV

P1406BV N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 60V 12.5m 12A G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 2

 9.1. Size:328K  cystek
 mtp1406j3.pdf pdf_icon

P1406BV

Spec. No. C733J3 Issued Date 2011.05.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTP1406J3 ID -10A 90.8m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTP1406J3 TO-252AB TO-252AA G D S G D S G

 9.2. Size:238K  cystek
 mtp1406m3.pdf pdf_icon

P1406BV

Spec. No. C733M3 Issued Date 2011.05.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.12 Page No. 1/5 P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60V MTP1406M3 ID -4A 90.8m RDSON(MAX) Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=90.8m @VGS=-10V, ID=-4A Ultra High Speed Switching Pb-free lead plated package Symbol

 9.3. Size:560K  cystek
 mtp1406l3.pdf pdf_icon

P1406BV

Spec. No. C733L3 Issued Date 2012.02.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.07.25 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTP1406L3 ID -4.8A 75m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-4A RDSON@VGS=-10V, ID=-1.5A 74m (typ.) 99m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-2A Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P1120EF, P1160JD, P1160JF, P1165JD, P1165JFN, P1306ED, P1306EK, P1350ETF, SI2302, P1410BD, P1410BK, P1560JD, P1560JF, P1610AK, P1610ATF, P1615ATA, P1615ATFA