P1406BV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P1406BV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 239 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
P1406BV Datasheet (PDF)
p1406bv.pdf
P1406BV N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G60V 12.5m 12A G: GATE D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 2
mtp1406j3.pdf
Spec. No. : C733J3 Issued Date : 2011.05.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTP1406J3 ID -10A90.8m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTP1406J3TO-252AB TO-252AA G D S G D S G
mtp1406m3.pdf
Spec. No. : C733M3 Issued Date : 2011.05.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.12 Page No. : 1/5 P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60VMTP1406M3 ID -4A90.8m RDSON(MAX) Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=90.8m@VGS=-10V, ID=-4A Ultra High Speed Switching Pb-free lead plated package Symbol
mtp1406l3.pdf
Spec. No. : C733L3 Issued Date : 2012.02.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.07.25 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTP1406L3 ID -4.8A 75m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-4A RDSON@VGS=-10V, ID=-1.5A 74m (typ.) 99m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-2A Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
