P1560JD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1560JD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для P1560JD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1560JD даташит

 ..1. Size:326K  niko-sem
 p1560jd.pdf pdf_icon

P1560JD

N-Channel Enhancement Mode P1560JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 310m 15A D G 1. GATE S 2. DRAIN 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

 8.1. Size:333K  niko-sem
 p1560jf.pdf pdf_icon

P1560JD

N-Channel Enhancement Mode P1560JF NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220F Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 290m 15A D G 1. GATE S 2. DRAIN 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

Другие IGBT... P1165JD, P1165JFN, P1306ED, P1306EK, P1350ETF, P1406BV, P1410BD, P1410BK, 20N50, P1560JF, P1610AK, P1610ATF, P1615ATA, P1615ATFA, P1625ED, P1850EF, P2020YD