Справочник MOSFET. P1560JD

 

P1560JD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1560JD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для P1560JD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1560JD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  niko-sem
 p1560jd.pdf pdf_icon

P1560JD

N-Channel Enhancement Mode P1560JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 310m 15A DG1. GATE S 2. DRAIN 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

 8.1. Size:333K  niko-sem
 p1560jf.pdf pdf_icon

P1560JD

N-Channel Enhancement Mode P1560JF NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220F Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 290m 15A DG1. GATE S 2. DRAIN 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

Другие MOSFET... P1165JD , P1165JFN , P1306ED , P1306EK , P1350ETF , P1406BV , P1410BD , P1410BK , 2N60 , P1560JF , P1610AK , P1610ATF , P1615ATA , P1615ATFA , P1625ED , P1850EF , P2020YD .

History: SM4915PSK | SWW20N65K | ZXM62P02E6

 

 
Back to Top

 


 
.