Справочник MOSFET. P3710BTF

 

P3710BTF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P3710BTF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для P3710BTF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3710BTF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  niko-sem
p3710btf.pdfpdf_icon

P3710BTF

N-Channel Enhancement Mode P3710BTF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 100V 37m 19A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 7.1. Size:185K  niko-sem
p3710bt.pdfpdf_icon

P3710BTF

N-Channel Enhancement Mode P3710BTNIKO-SEM TO-220 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 100V 37m 31A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 100 VGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25 C 3

 8.1. Size:748K  unikc
p3710bd.pdfpdf_icon

P3710BTF

P3710BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID37m @VGS = 10V100V 25ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C25IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C16AIDM75Pulsed Drain Curren

 8.2. Size:464K  unikc
p3710bv.pdfpdf_icon

P3710BTF

P3710BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID37m @VGS = 10V100V 5.2ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C5.2IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C4.2AIDM40Pulsed Drain Curren

Другие MOSFET... P3506EK , P3506ET , P3506ETF , P3606BEA , P3606BK , P3606NEA , P3710BK , P3710BT , 5N50 , P3710HK , P5015CD , P5506BDA , P5506BVA , P5506HVA , P5506NK , P5506NV , P5510ED .

History: AM2373P | VS3625GPMC | AM8N25-550D | MDV1595SURH | FQN1N50CTA | VBA3695 | CP650

 

 
Back to Top

 


 
.