P3710BTF - описание и поиск аналогов

 

P3710BTF - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P3710BTF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для P3710BTF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3710BTF технические параметры

 ..1. Size:342K  niko-sem
p3710btf.pdfpdf_icon

P3710BTF

N-Channel Enhancement Mode P3710BTF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 100V 37m 19A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 7.1. Size:185K  niko-sem
p3710bt.pdfpdf_icon

P3710BTF

N-Channel Enhancement Mode P3710BT NIKO-SEM TO-220 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 100V 37m 31A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 3

 8.1. Size:748K  unikc
p3710bd.pdfpdf_icon

P3710BTF

P3710BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 37m @VGS = 10V 100V 25A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 25 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 16 A IDM 75 Pulsed Drain Curren

 8.2. Size:464K  unikc
p3710bv.pdfpdf_icon

P3710BTF

P3710BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 37m @VGS = 10V 100V 5.2A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 5.2 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 4.2 A IDM 40 Pulsed Drain Curren

Другие MOSFET... P3506EK , P3506ET , P3506ETF , P3606BEA , P3606BK , P3606NEA , P3710BK , P3710BT , IRFP064N , P3710HK , P5015CD , P5506BDA , P5506BVA , P5506HVA , P5506NK , P5506NV , P5510ED .

 

 
Back to Top

 


 
.