P3710BTF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P3710BTF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P3710BTF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3710BTF даташит

 ..1. Size:342K  niko-sem
 p3710btf.pdf pdf_icon

P3710BTF

N-Channel Enhancement Mode P3710BTF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 100V 37m 19A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 7.1. Size:185K  niko-sem
 p3710bt.pdf pdf_icon

P3710BTF

N-Channel Enhancement Mode P3710BT NIKO-SEM TO-220 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 100V 37m 31A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 3

 8.1. Size:748K  unikc
 p3710bd.pdf pdf_icon

P3710BTF

P3710BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 37m @VGS = 10V 100V 25A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 25 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 16 A IDM 75 Pulsed Drain Curren

 8.2. Size:464K  unikc
 p3710bv.pdf pdf_icon

P3710BTF

P3710BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 37m @VGS = 10V 100V 5.2A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 5.2 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 4.2 A IDM 40 Pulsed Drain Curren

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P3506EK, P3506ET, P3506ETF, P3606BEA, P3606BK, P3606NEA, P3710BK, P3710BT, AON6426, P3710HK, P5015CD, P5506BDA, P5506BVA, P5506HVA, P5506NK, P5506NV, P5510ED