P9515BD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P9515BD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P9515BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P9515BD даташит

 ..1. Size:200K  niko-sem
 p9515bd.pdf pdf_icon

P9515BD

N-Channel Enhancement Mode P9515BD NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 150V 90m 18A 1. GATE G 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 2

Другие IGBT... P5515BV, P7510ED, P7510EEU, P7510EK, P8010HK, P8806BM, P9006EDA, P9006EVA, AON6414A, PA010BV, PA110BEA, PA110ED, PA110HEA, PA110NK, PA110NV, PA410BTF, PA515BD