P9515BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: P9515BD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для P9515BD
P9515BD Datasheet (PDF)
p9515bd.pdf

N-Channel Enhancement Mode P9515BD NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 150V 90m 18A 1. GATE G2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 2
Другие MOSFET... P5515BV , P7510ED , P7510EEU , P7510EK , P8010HK , P8806BM , P9006EDA , P9006EVA , AON6414A , PA010BV , PA110BEA , PA110ED , PA110HEA , PA110NK , PA110NV , PA410BTF , PA515BD .
History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04
History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496