PA110HEA datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PA110HEA 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PA110HEA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PA110HEA даташит
pa110hea.pdf
Dual N-Channel Enhancement Mode PA110HEA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D1 D1 D2 D2 PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 110m 8.4A #1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25
pa110bc.pdf
PA110BC N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 110m @VGS = 10V 100V 4A SOT-89 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 4 ID Continuous Drain Current TA = 100 C 3.5 A IDM 15 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 4.8 E
pa110bv.pdf
PA110BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 110m @VGS = 10V 100V 3.2A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 3.2 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 2.5 A IDM 10 Pulsed Drain Curr
pa110bd.pdf
PA110BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 110m @VGS = 10V 100V 15A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 15 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 10 A IDM 60 Pulsed Drain Curren
Другие IGBT... P8010HK, P8806BM, P9006EDA, P9006EVA, P9515BD, PA010BV, PA110BEA, PA110ED, IRFB4115, PA110NK, PA110NV, PA410BTF, PA515BD, PA520BA, PA567EA, PA567JA, PA597BA
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: HM7N65
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665













