Справочник MOSFET. PA5D8EA

 

PA5D8EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PA5D8EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.96 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-6
 

 Аналог (замена) для PA5D8EA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA5D8EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  niko-sem
 pa5d8ea.pdf pdf_icon

PA5D8EA

N-Channel Enhancement Mode PA5D8EA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOT-23-6 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.96A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD Protectio

 9.1. Size:272K  niko-sem
 pa5d8ja.pdf pdf_icon

PA5D8EA

Dual N-Channel Logic Level PA5D8JA NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23-6 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.96A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие MOSFET... PA110NK , PA110NV , PA410BTF , PA515BD , PA520BA , PA567EA , PA567JA , PA597BA , IRFP260 , PA5D8JA , PA5S6EA , PA5S6JA , PA607UA , PA710ED , PA910BC , PA910BM , PB502CW .

History: TSM9409CS | NVMD3P03 | AP9938AGEY | AP18T10GJ | IXFT16N120P | SQ2348ES

 

 
Back to Top

 


 
.