PA5D8EA - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PA5D8EA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.96 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: SOT-23-6
Аналог (замена) для PA5D8EA
PA5D8EA технические параметры
pa5d8ea.pdf
N-Channel Enhancement Mode PA5D8EA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOT-23-6 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.96A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD Protectio
pa5d8ja.pdf
Dual N-Channel Logic Level PA5D8JA NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23-6 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.96A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.
Другие MOSFET... PA110NK , PA110NV , PA410BTF , PA515BD , PA520BA , PA567EA , PA567JA , PA597BA , 2SK3878 , PA5D8JA , PA5S6EA , PA5S6JA , PA607UA , PA710ED , PA910BC , PA910BM , PB502CW .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP90N03GD | AP85P04G | AP85N04Q | AP85N04K | AP85N04G | AP80P04K | AP80N06T | AP80N06H | AP80N06DH | AP7N10K | AP75N04K | AP70P03K | AP70N100K | AP6900 | AP6802 | AP6800
Popular searches
2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet



