PA5D8EA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PA5D8EA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.96 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PA5D8EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA5D8EA даташит

 ..1. Size:261K  niko-sem
 pa5d8ea.pdf pdf_icon

PA5D8EA

N-Channel Enhancement Mode PA5D8EA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOT-23-6 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.96A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD Protectio

 9.1. Size:272K  niko-sem
 pa5d8ja.pdf pdf_icon

PA5D8EA

Dual N-Channel Logic Level PA5D8JA NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23-6 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.96A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие IGBT... PA110NK, PA110NV, PA410BTF, PA515BD, PA520BA, PA567EA, PA567JA, PA597BA, STP75NF75, PA5D8JA, PA5S6EA, PA5S6JA, PA607UA, PA710ED, PA910BC, PA910BM, PB502CW