PA5S6JA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PA5S6JA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PA5S6JA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA5S6JA даташит

 ..1. Size:353K  niko-sem
 pa5s6ja.pdf pdf_icon

PA5S6JA

PA5S6JA NIKO-SEM Dual N-Channel Logic Level MOSFET SOT-23-6 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 450m 0.75A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Integrated ESD diode wit

 9.1. Size:342K  niko-sem
 pa5s6ea.pdf pdf_icon

PA5S6JA

PA5S6EA NIKO-SEM N-Channel Logic Level MOSFET SOT-23-6 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 450m 0.75A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Integrated ESD diode with ESD

Другие IGBT... PA515BD, PA520BA, PA567EA, PA567JA, PA597BA, PA5D8EA, PA5D8JA, PA5S6EA, IRF1010E, PA607UA, PA710ED, PA910BC, PA910BM, PB502CW, PB5A2BX, PB5A3JW, PB5B5BX