Справочник MOSFET. PA710ED

 

PA710ED Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PA710ED
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PA710ED

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA710ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  niko-sem
 pa710ed.pdf pdf_icon

PA710ED

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PA710ED NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 170m -12A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Voltage VGS

Другие MOSFET... PA567EA , PA567JA , PA597BA , PA5D8EA , PA5D8JA , PA5S6EA , PA5S6JA , PA607UA , 5N60 , PA910BC , PA910BM , PB502CW , PB5A2BX , PB5A3JW , PB5B5BX , PB5C5JW , PB5G8JW .

History: F12W50VX2 | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | P1060ETF | KQB4P40 | CSD17551Q3A

 

 
Back to Top

 


 
.