PA710ED - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PA710ED
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для PA710ED
PA710ED технические параметры
Другие MOSFET... PA567EA , PA567JA , PA597BA , PA5D8EA , PA5D8JA , PA5S6EA , PA5S6JA , PA607UA , IRLB4132 , PA910BC , PA910BM , PB502CW , PB5A2BX , PB5A3JW , PB5B5BX , PB5C5JW , PB5G8JW .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP90N03GD | AP85P04G | AP85N04Q | AP85N04K | AP85N04G | AP80P04K | AP80N06T | AP80N06H | AP80N06DH | AP7N10K | AP75N04K | AP70P03K | AP70N100K | AP6900 | AP6802 | AP6800
Popular searches
2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649


