PA910BM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PA910BM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PA910BM Datasheet (PDF)
pa910bm.pdf

N-Channel Enhancement Mode PA910BMNIKO-SEM SOT-23Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G: GATE G100V 190m 1.6A D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSGate-Source Voltage VGS 20 VTA = 25 C 1.6 Continuous Drain Current ID
pa910bd.pdf

N-Channel Enhancement Mode PA910BD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 190m 8.1A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 8.1 Continuous Drain Cu
pa910bc.pdf

N-Channel Enhancement Mode PA910BCNIKO-SEM SOT-89Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G1 2 3100V 190m 2.9A 1: GATE 2: DRAIN 3: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSGate-Source Voltage VGS 20 VTA = 25 C 2.9 Continuous Drain Cur
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HITK0204MP | 4N60L-T2Q-T | TPW65R080C | MS65R120C | HYG055N08NS1P | IPP054NE8NG | MEE7816S
History: HITK0204MP | 4N60L-T2Q-T | TPW65R080C | MS65R120C | HYG055N08NS1P | IPP054NE8NG | MEE7816S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor