PB5A2BX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PB5A2BX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PDFN2X2S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PB5A2BX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5A2BX даташит

 ..1. Size:306K  niko-sem
 pb5a2bx.pdf pdf_icon

PB5A2BX

PB5A2BX N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 9m 11A D G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

 8.1. Size:807K  unikc
 pb5a2ba.pdf pdf_icon

PB5A2BX

PB5A2BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 4.5V 20V 11A 100% RG Test PDFN 2X2S 100% UIL Test ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C 11 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 9 A IDM

Другие IGBT... PA5D8JA, PA5S6EA, PA5S6JA, PA607UA, PA710ED, PA910BC, PA910BM, PB502CW, AO3401, PB5A3JW, PB5B5BX, PB5C5JW, PB5G8JW, PB600BX, PB606BX, PB6C4JU, PB6D2BX