Справочник MOSFET. PB5A2BX

 

PB5A2BX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB5A2BX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5A2BX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  niko-sem
 pb5a2bx.pdf pdf_icon

PB5A2BX

PB5A2BX N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 9m 11A DGFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

 8.1. Size:807K  unikc
 pb5a2ba.pdf pdf_icon

PB5A2BX

PB5A2BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 4.5V20V 11A100% RG TestPDFN 2X2S 100% UIL TestABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20 VVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C11IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C9 AIDM

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: YMP230N55 | PSMN9R0-30YL

 

 
Back to Top

 


 
.