PB5A2BX - аналоги и даташиты транзистора

 

PB5A2BX - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PB5A2BX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для PB5A2BX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5A2BX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  niko-sem
 pb5a2bx.pdf pdf_icon

PB5A2BX

PB5A2BX N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 9m 11A DGFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

 8.1. Size:807K  unikc
 pb5a2ba.pdf pdf_icon

PB5A2BX

PB5A2BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 4.5V20V 11A100% RG TestPDFN 2X2S 100% UIL TestABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20 VVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C11IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C9 AIDM

Другие MOSFET... PA5D8JA , PA5S6EA , PA5S6JA , PA607UA , PA710ED , PA910BC , PA910BM , PB502CW , AON7410 , PB5A3JW , PB5B5BX , PB5C5JW , PB5G8JW , PB600BX , PB606BX , PB6C4JU , PB6D2BX .

History: PB502CW | PB5A3JW | PB5B5BX

 

 
Back to Top

 


 
.