Справочник MOSFET. PB5A3JW

 

PB5A3JW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB5A3JW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для PB5A3JW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5A3JW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  niko-sem
 pb5a3jw.pdf pdf_icon

PB5A3JW

Dual P-Channel Enhancement PB5A3JW NIKO-SEM PDFN 2x2S Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 65m -3.6A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products

Другие MOSFET... PA5S6EA , PA5S6JA , PA607UA , PA710ED , PA910BC , PA910BM , PB502CW , PB5A2BX , AON7410 , PB5B5BX , PB5C5JW , PB5G8JW , PB600BX , PB606BX , PB6C4JU , PB6D2BX , PB6W8BX .

History: SPB20N60C3 | KRF7606 | PS06P30DA | FDZ7296 | IPB039N10N3GE8187 | ME7114S-G | NCE60P09S

 

 
Back to Top

 


 
.