Справочник MOSFET. PB5C5JW

 

PB5C5JW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB5C5JW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5C5JW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  niko-sem
 pb5c5jw.pdf pdf_icon

PB5C5JW

Dual P-Channel Enhancement PB5C5JW NIKO-SEM PDFN 2x2S Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 85m -3.1A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK2987 | STP40NF10L | RFP2N08 | APQ110SN5EA | KHB1D9N60I | SQJ200EP | AP6P090H

 

 
Back to Top

 


 
.