PB5C5JW - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PB5C5JW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: PDFN2X2S
Аналог (замена) для PB5C5JW
PB5C5JW Datasheet (PDF)
pb5c5jw.pdf

Dual P-Channel Enhancement PB5C5JW NIKO-SEM PDFN 2x2S Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 85m -3.1A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products
Другие MOSFET... PA607UA , PA710ED , PA910BC , PA910BM , PB502CW , PB5A2BX , PB5A3JW , PB5B5BX , IRFB3607 , PB5G8JW , PB600BX , PB606BX , PB6C4JU , PB6D2BX , PB6W8BX , PC015BDA , PC015HVA .
History: NCE1490 | 2SK3528-01R
History: NCE1490 | 2SK3528-01R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106