Справочник MOSFET. PB5C5JW

 

PB5C5JW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB5C5JW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для PB5C5JW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5C5JW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  niko-sem
 pb5c5jw.pdf pdf_icon

PB5C5JW

Dual P-Channel Enhancement PB5C5JW NIKO-SEM PDFN 2x2S Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 85m -3.1A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products

Другие MOSFET... PA607UA , PA710ED , PA910BC , PA910BM , PB502CW , PB5A2BX , PB5A3JW , PB5B5BX , IRFB3607 , PB5G8JW , PB600BX , PB606BX , PB6C4JU , PB6D2BX , PB6W8BX , PC015BDA , PC015HVA .

History: SSM5N16FE | IPB60R160C6 | AOI600A60 | NCE60N1K0R | 5N65G-TN3-R | FDMA86108LZ

 

 
Back to Top

 


 
.