PB606BX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PB606BX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: PDFN2X2S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PB606BX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB606BX даташит

 ..1. Size:238K  niko-sem
 pb606bx.pdf pdf_icon

PB606BX

PB606BX N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 18m 7.3A G G GATE D DRAIN S SOURCE S 100% RG Test , 100% UIL Test ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Sourc

 8.1. Size:443K  unikc
 pb606ba.pdf pdf_icon

PB606BX

PB606BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 16m @VGS = 10V 30V 7.8A 100%RG TEST PDFN 2X2S 100%UIL TEST ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 7.8 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 6.2 A

Другие IGBT... PA910BM, PB502CW, PB5A2BX, PB5A3JW, PB5B5BX, PB5C5JW, PB5G8JW, PB600BX, 5N65, PB6C4JU, PB6D2BX, PB6W8BX, PC015BDA, PC015HVA, PC561BA, PD515BA, PD551BA