Справочник MOSFET. PB606BX

 

PB606BX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB606BX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для PB606BX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB606BX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  niko-sem
 pb606bx.pdf pdf_icon

PB606BX

PB606BXN-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 18m 7.3AGG : GATE D : DRAIN S : SOURCE S100% RG Test , 100% UIL Test ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Sourc

 8.1. Size:443K  unikc
 pb606ba.pdf pdf_icon

PB606BX

PB606BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = 10V30V 7.8A100%RG TESTPDFN 2X2S 100%UIL TESTABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C7.8IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C6.2A

Другие MOSFET... PA910BM , PB502CW , PB5A2BX , PB5A3JW , PB5B5BX , PB5C5JW , PB5G8JW , PB600BX , 4N60 , PB6C4JU , PB6D2BX , PB6W8BX , PC015BDA , PC015HVA , PC561BA , PD515BA , PD551BA .

History: RJK1008DPN | G2503 | AM7304N | NCEP6060GU | 2SK821 | UTT40P04 | SPP15N65C3

 

 
Back to Top

 


 
.